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3、中心2008年理论预言量子反常霍尔效应。本文中，发展作者研究了在掺杂铬的(Bi,Sb)2Te3薄膜的磁性拓扑绝缘体中的量子异常霍尔（QAH）效应变化。

在这项工作中，趋势他们预测在没有任何磁场的情况下量子化自旋霍尔效应，其中本征自旋霍尔电导以2e/4π为单位量子化。基于第一性原理计算，数据作者预测四方晶系半导体Bi2Te3、数据Bi2Se3和Sb2Te3在掺杂过渡金属元素（Cr或Fe）时形成磁性有序绝缘体，而传统的稀磁性半导体则需要自由载流子来介导磁耦合，并通过实验得以证实。在文中，中心研究了通过分子束外延成功制造了2D锡烯，并且结合第一原理计算，利用扫描隧道显微镜和角度分辨光电子能谱的原子和电子表征的到证实。

参考文献：发展Science,2010,329,61-64.DOI:10.1126/science.11874858、发展Aharonov–Bohminterferenceintopologicalinsulatornanoribbons(Aharonov-Bohm干扰拓扑绝缘体的纳米带)拓扑绝缘体代表具有绝缘体间隙和无间隙边缘或表面态的量子物质的不同时期。趋势作者通过角分辨光电发射光谱在分子束外延生长的各种厚度的Bi2Se3薄膜。

数据参考文献：NatureMaterials,2015,14,473–477.13.人工智能进行材料发现斯坦福张首晟团队开发的人工智能程序Atom2Vec就用几小时重构了人类用了上百年才发现的元素周期表。

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